肖特基二極管是肖特基博士發(fā)明并命名的,又稱肖特基勢壘二極管縮寫是SBD。與普通二極管不同,SBD是采用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)成,因此也叫金屬-半導(dǎo)體二極管。
肖特基二極管是由鉑、金、銀、鋁等金屬為正極,而N型半導(dǎo)體為負(fù)極,利用正負(fù)極接觸面周圍電子形成的勢壘擁有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體二極管。肖特基二極管在通電后N型半導(dǎo)體內(nèi)部會形成大量電子而正極金屬內(nèi)卻只有少量自由電子,所以半導(dǎo)體內(nèi)的自由電子會向著金屬端擴(kuò)散。伴隨這種擴(kuò)散半導(dǎo)體端電子濃度不斷降低,表面的電中性被破壞形成勢壘,電場方向由半導(dǎo)體端向金屬端。在勢壘的作用下,金屬端電子也會向半導(dǎo)體端進(jìn)行漂移運(yùn)動,而削弱之前電子擴(kuò)散運(yùn)動形成的電場,當(dāng)兩邊相對電子的擴(kuò)散和漂移運(yùn)動達(dá)到平衡后就形成了肖特基勢壘。當(dāng)肖特基二極管受正向電壓時(shí)(即金屬端接電源正極,半導(dǎo)體端接負(fù)極),內(nèi)阻變小,反之內(nèi)阻變大。
肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)頻率高、降低正向電壓,SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢壘的充、放電時(shí)間,不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題所以開關(guān)速度很快可以小到幾納秒,開關(guān)損耗也很小更適用于高頻電路。但缺點(diǎn)也很明顯,反向擊穿電壓低、反向漏電流大導(dǎo)致導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗較大引起溫度很高,需要配備較大的散熱器使電路的體積和重量增加。不過最近幾年SBD技術(shù)已經(jīng)有了突破性的進(jìn)展,最高反向擊穿電壓已經(jīng)達(dá)到了200V。
肖特基二極管的特點(diǎn)和結(jié)構(gòu)使其非常適合低壓、大電流輸出場合用的高頻整流,在高頻率下的檢波和混頻,在高速邏輯電路中的箝位,高速計(jì)算機(jī)中的IC也使用了大量有SBD的集成電路。
本文原創(chuàng)自佳益電子www.mohamedadalal.com,轉(zhuǎn)載請注明出處。
上一篇:色環(huán)電阻的識別
下一篇:光敏電阻的基礎(chǔ)知識